重都共同面临的问题。
国家一再提及“新质生产力”，这个“新”体现在何处？不就是眼前这位正在做的事情吗？
徐君看了纪弘一眼，这位就是“新”的代表了，至少河州，今年的业绩是完全不愁的，这一位就够。
“你们有没有做硬件的规划？”投之以桃，报之以琼瑶。来之前，徐君就准备好了一份地图，这个时候让秘书拿过来：
“或者说，有没有建工厂的打算？这边有一些工业用地打算出让，临近四期规划地铁口，临近高速和机场的也有，卷耳科技有没有意向？”
“工业用地？”纪弘想了想：“建设实验室或者实验工厂能用吗？”
类思维模型训练到今天，已经出现了一定的瓶颈，纪弘也已经开始在计划存算三维融合芯片的事情了。
不过，只是简单的勾画纪弘就发现，这种芯片架构，按照现在的芯片制作流程几乎不可能实现。
半导体倒也没错，只是，如果真要按现有方法制作的话，要想达到三维融合的效果，就得改变现有芯片“层”这个概念。
现在芯片设计的是为了提高存储密度而设计的，通常用在存储芯片中。
比如长存，就设计出232层的固态存储芯片，单个 NAND芯片可以拥有多大TB级的容量。
再有就类似于华为的那项芯片层叠技术，它是为了解决制程不够这个问题的。
不管是存储芯片的层，还是芯片堆叠，他们的目的都是为了单位面积内的更多晶体管数量。
华为的这种芯片堆叠，层与层之间并没有什么联系，甚至可以看作是两片芯片物理上叠在了一起，甚至，层与层之间是完全要隔绝要绝缘的。
而存储芯片的层，层与层之间虽然有联系，但是他们之间的联系是统一规则、设计一致的，那么直接往上堆就可以，甚至可以做成几百层都没关系。
但多维融合芯片的架构则完全不同，它不仅需要的层数多，而且层与层之间也需要非常多的联系—这种联系是需要实现某种设计理念或功能的，结构非常的繁琐且复杂。
如果说现在的芯片是一个平面的话，那三维融合芯片的架构就完全是立体的，而且是不规则立体。
如果按照现在的芯片设计和生产法方案，那对制程和工艺的要求绝对是无与伦比的，想要做到这些简直就是天方夜谭，可以说根本就没有任何晶圆厂能够做到。
纪弘也是有过这样的想法：我能不能自
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